2021-1128 01:00:03

FLASH闪存的主要种类都有哪些

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  供应的条件下也能够长久地保持数据,其存储特性相当于硬盘,这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。Flash的长处且具备电子可擦除可编程的性能,还不会因断电而丢失数据,具有快速读取数据的特点。Flash总类可谓繁多且功能各异,而你对它了解有多少呢?本篇文章存储芯片供应商英尚微电子带大家一起来看看。

  SPI Nor Flash,采用的是SPI 通信协议,有4线(时钟,两个数据线线(时钟,两个数据线)通信接口,由于它有两个数据线能实现全双工通信,因此比IIC通信协议的IIC EEPROM的读写速度上要快很多。SPI Nor Flash具有NOR技术Flash Memory的特点,即程序和数据可存放在同一芯片上,拥有独立的数据总线和地址总线,能快速随机读取,允许系统直接从Flash中读取代码执行;可以单字节或单字编程,但不能单字节擦除,必须以Sector为单位或对整片执行擦除操作,在对存储器进行重新编程之前需要对Sector或整片进行预编程和擦除操作。

  Nor Flash在擦写次数上远远达不到IIC EEPROM,并且由于NOR技术Flash Memory的擦除和编程速度较慢,块尺寸又较大,因此擦除和编程操作所花费的时间会很长;但SPI Nor Flash接口简单,使用的引脚少易于连接且操作方便,并且可以在芯片上直接运行代码,其稳定性出色,传输速率高,在小容量时具有很高的性价比,这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM,所以在市场的占用率非常高。

  Parallel Nor Falsh,也叫做并行Nor Flash,采用的Parallel接口通信协议,拥有独立的数据线和地址总线,它同样继承了NOR技术Flash Memory的所有特点;由于采用了Parallel接口。Parallel Nor Falsh相对于SPI Nor Flash,支持的容量更大,读写的速度更快,但是由于占用的地址线和数据线太多,在电路电子设计上会占用很多资源。Parallel Nor Falsh读写时序类似于SRAM,只是写的次数较少,速度也慢,由于其读时序类似于SRAM,读地址也是线性结构,所以多用于不需要经常更改程序代码的数据存储。

  Parallel Nand Flash同样采用了Parallel接口通信协议,Nand Flash在工艺制程方面分有三种类型:SLC、MLC、TLC。Nand Flash技术Flash Memory具有以下特点:以页为单位进行读和编程操作,以块为单位进行擦除操作;具有快编程和快擦除的功能,其块擦除时间是2ms,而NOR技术的块擦除时间达到几百ms;芯片尺寸小,引脚少,是位成本(bit cost)最低的固态存储器;芯片包含有坏块,其数目取决于存储器密度。坏块不会影响有效块的性能,但设计者需要有一套的坏块管理策略!

  对比Parallel Nor Falsh,Nand Flash在擦除和读写方面的速度快,使用擦写次数更多,并且它强调更高的性能和更低的成本,更小的体积,更大的容量,更长的使用寿命。这使Nand Flash很擅于存储纯资料或数据等,在嵌入式系统中用来支持文件系统。其主要用来数据存储,大部分的U盘都是使用Nand Flash,当前NandFlash在嵌入式产品中应用仍然极为广泛,因此坏块管理、掉电保护等措施就需要依赖NandFlash使用厂家通软件进行完善。

  SPI Nand Flash,采用了SPI Nor Flash一样的SPI的通信协议,在读写的速度上没什么区别,但在存储结构上却采用了与Parallel Nand Flash相同的结构,所以SPI nand相对于SPI Nor Flash具有擦写的次数多,擦写速度快的优势,但是在使用以及使用过程中会同样跟Parallel Nand Flash一样会出现坏块,因此也需要做特殊坏块处理才能使用;

  SPI Nand Flash相对比Parallel Nand Flash还有一个重要的特点,那就是芯片自己有内部ECC纠错模块,用户无需再使用ECC算法计算纠错,用户可以在系统应用当中可以简化代码简单操作。

  FLASH因功能不同,使用的领域也各异,它在电子市场上应用极为广泛,需求量极大,每日的需求量可达百万的数量级,英尚微电子存储芯片供应商可提供样品及技术方面支持。

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